DesignWare 112G 以太网 PHY IP 插损补偿能力
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新思科技112G PHY 接收器在不同数量通道插入损耗下的性能。该IP 达到了各项标准的要求,支持FinFET工艺的一系列节点,具有领先的功耗、性能和面积,适用于高性能计算SoC芯片。
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新思科技112G PHY 接收器在不同数量通道插入损耗下的性能。该IP 达到了各项标准的要求,支持FinFET工艺的一系列节点,具有领先的功耗、性能和面积,适用于高性能计算SoC芯片。
在2023年欧洲光通信展(ECOC)上,新思科技使用 8 通道的 LR 112G 以太网 PHY IP 和 800G MAC/PCS, 通过 DAC 通道与试验程序、分析仪及第三方 800G EVB 进行互操作,显示链接、数据包接收/传输、FEC 直方图及其他性能指标。
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