DesignWare 112G 以太网 PHY IP 插损补偿能力
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新思科技112G PHY 接收器在不同数量通道插入损耗下的性能。该IP 达到了各项标准的要求,支持FinFET工艺的一系列节点,具有领先的功耗、性能和面积,适用于高性能计算SoC芯片。
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新思科技112G PHY 接收器在不同数量通道插入损耗下的性能。该IP 达到了各项标准的要求,支持FinFET工艺的一系列节点,具有领先的功耗、性能和面积,适用于高性能计算SoC芯片。
新思科技UCie PHY IP 面向台积公司 N3E 工艺,成功实现了die-to-die 通信和开阔的眼图。PHY 采用了 N3 工艺实现了一次性流片成功和行业领先的性能水平。
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点击视频, 了解ECOC 2023(欧洲光通信会议)上,新思科技 112 PHY IP 与 OpenLight 的 PIC 在光电链路中的卓越性能。在该演示中,您将看到新思科技 112G TX 和 RX 在均衡信道损耗的同时,展示了出色的 BER 和 TDECQ 性能。
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