设计您自己的处理器 - 介绍新思科技 ASIP 设计工具

Synopsys和SK hynix讨论3.​6Gbps的HBM2E

在此视频访谈中，了解SK hyni的DRAM技术营销团队领导Keith Kim讨论 3.​6Gbps HBM2E的广泛采用，以及与Synopsys的成功合作（以最大速度来验证的DesignWare HBM2E IP）。

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DesignWare 112G 以太网 PHY IP 插损补偿能力

新思科技112G PHY 接收器在不同数量通道插入损耗下的性能。该IP 达到了各项标准的要求，支持FinFET工艺的一系列节点，具有领先的功耗、性能和面积，适用于高性能计算SoC芯片。

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演示: 将SLAM和对象检测与DesignWare ARC EV处理器IP相结合

了解ARC EV处理器如何将同时定位和地图绘制（SLAM）与神经网络引擎相结合，以在识别对象的同时构建周围环境的地图。

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适用于22纳米工艺的DesignWare MIPI D-PHY IP

新思科技的优质的MIPI C-PHY/D-PHY IP方案更新延申至MIPI D-PHY IP在22纳米工艺，本视频将简单介绍该工艺下MIPI D-PHY IP方案的优势，以及所具有RX，TX，双向模式以及工作速率为10 Gbps 的2和4通道。MIPI C-PHY/D-PHY IP方案应该说是物联网，汽车和AI Edge等应用中理想选择。

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产品演示：利用ARC EM9D处理器做机器学习推理

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产品演示：DesignWare MIPI C-PHY/D-PHY IP 在 24 Gbps速率下的性能

该视频演示了有DesignWare MIPI C-PHY / D-PHY IP与C-PHY模式下的图像传感器互操作的能力，每三倍速率高达3.5 Gsps，D-PHY模式每通道速率高达4.5 Gbps，FinFET工艺中可用，针对摄像头和显示器等应用。

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