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在本视频中，您将了解硅工艺技术和3DIC封装的最新进步如何使不同的电阻提取技术成为可能，以及StarRC是如何支持这些技术的。
本视频以MOSFET为例子，展示了SaberRD功率半导体器件的特征化建模的方法。此方法同样适用于IGBT，BJT等功率器件。请务必在观看视频之后完成实验10。
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分析和解决零部件上的过应力可以实现稳健性设计。通过几个简单的步骤，SaberRD就可以实现自动化的应力分析。请务必在观看视频之后完成实验15，以完成整个视频培训系列教程。
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通过芯片生命周期监测与分析获得可行性见解
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本视频展示了如何使用 Saber 的查表 (TLU) 建模实用程序。TLU 是一种极其灵活和有用的建模方法只要您能使用表格数据描述行为。请务必在观看视频之后完成实验 8。
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本视频展示了SaberRD的最坏情况分析工具（WCA）,如何识别降低指标性能的零部件参数和运行条件组合。解决这些最坏情况点可以实现稳健性设计。请务必在观看视频之后完成实验13。
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变革带来机遇和挑战，也让我们不断创新，引领行业发展。半导体行业正在从单芯片SoC转向多芯片系统，新思科技多裸晶芯片系统解决方案将助力更多合作伙伴持续引领创新之路。
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